三星规划在2025年开始量产基于GAA的2纳米制程产品

时间:2022-06-20 16:37:20 来源:TechWeb 阅读量:15125

据BusinessKorea报道,三星电子已经规划了未来三年3nm环绕栅极工艺的技术,并寻求在2025年量产2 nm GAA工艺。

根据消息显示,GAA是下一代工艺技术,它改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面,而不是现在FinFET工艺中的三个侧面GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流

三星电子正押注于将GAA技术应用于3 nm工艺,以赶上TSMC据报道,三星在6月初将晶圆放入3 nm GAA工艺进行试产,成为全球首家使用GAA技术的公司它正寻求通过技术飞跃立即缩小与TSMC的差距与5纳米工艺相比,3纳米工艺的半导体性能和电池效率分别提高了15%和30%,芯片面积减少了35%

此外,TSMC此前宣布3nm工艺将于2022年量产,而TSMC则首次推出了采用纳米晶圆晶体管架构的2nm工艺,将于2025年量产。



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