据国外媒体报道，今年下半年正在推进3纳米制程技术量产的TSMC，在更先进的2纳米制程技术研发方面取得了重大进展预计明年年中开始风险试生产
风险试产意味着TSMC的2nm工艺离量产又近了一步外媒在报道中还提到，经过一年的风险试生产，TSMC的工艺有望量产
外媒在报道中提到，如果在风险试产时2nm工艺的良率达到90%，TSMC可以改进这一工艺，并在2024年推广量产。
TSMC正在推进2纳米制程技术，晶体管架构将发生变化它不会使用鳍式场效应晶体管，而是会采用全新的MBCFET架构，也就是三星电子自3nm制程工艺以来一直采用的晶体管架构他们在去年4月宣布，3纳米工艺技术将采用多桥场效应晶体管架构设计
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